基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量，壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí)，處理鍍鈦怎么收費，沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子，商丘處理鍍鈦，因而形成的膜層結構疏松，顆粒粗大，處理鍍鈦公司，缺陷多;反之，膜層結構均勻致密，機械強度高，膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下，基片溫度高時(shí)，吸附原子的動(dòng)能隨之增大，形成的薄膜容易結晶化，并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí)，處理鍍鈦服務(wù)電話(huà)，則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子，因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.

蒸發(fā)源接陽(yáng)極，工件接陰極，當通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內充有惰性氣，在放電電場(chǎng)作用下部分氣被電離，從而在陰極工件周?chē)纬梢坏入x子暗區。帶正電荷的離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區并被電離。

PVD（Physical Vapor Deition），在真空條件下，采用物理方法，使材料源表面氣化成原子、分子或離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍三大類(lèi)。

蒸發(fā)鍍膜

真空條件下，將鍍料加熱蒸發(fā)或升華，材料的原子或分子直接在襯底上成膜的技術(shù)。根據加熱方法的不同主要有以下幾種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)。

采用電阻加熱蒸發(fā)源的蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，一般用于蒸發(fā)低熔點(diǎn)材料，如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等；加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。

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